IRF4905STRLPBF vs IRF3710STRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF4905STRLPBF بواسطة Infineon و IRF3710STRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF4905STRLPBF | IRF3710STRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -260 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 86.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 170 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| العلبة | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET / IR MOSFET (planar) |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 57 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 23 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25 C) | — | 200 W |
| Tape & Reel Orientation | — | TRL (left) |