IRF4905STRLPBF vs IRF3710STRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905STRLPBF tarafından Infineon ve IRF3710STRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF4905STRLPBF IRF3710STRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 86.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55 C to +175 C
Paket D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET / IR MOSFET (planar)
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes Yes
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin