IRF4905STRLPBF vs IRF3710STRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF4905STRLPBF bằng Infineon và IRF3710STRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF - 100V 57A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRF3710STRLPBF - 100V 57A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRF3710STRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF4905STRLPBF IRF3710STRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 86.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C -55 C to +175 C
Hộp D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Cấp MSL 1 —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes Yes
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá