IRF540NSTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF540NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRL540NSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF540NSTRLPBF | IRL540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C |
| العلبة | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-263 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | Yes (single-pulse) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 36 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 44 mΩ |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 49.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 140 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |