IRF540NSTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF540NSTRLPBF bằng Infineon và IRL540NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF540NSTRLPBF | IRL540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C |
| Hộp | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-263 (D2PAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | Yes (single-pulse) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 36 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 44 mΩ |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 49.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 140 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |