IRF540NSTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRL540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55°C to +175°C
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount TO-263 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) Yes (single-pulse)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Total Gate Charge (Qg) — 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں