IRF540ZPBF vs IRF1310NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF540ZPBF بواسطة Infineon و IRF1310NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF540ZPBF IRF1310NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF540ZPBF —
Technology HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) HEXFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 26.5 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 42 nC —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C 92 W —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة TO-220AB (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Yes (per datasheet description) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 36 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs value]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر