IRF540ZPBF vs IRF1310NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF540ZPBF द्वारा Infineon और IRF1310NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF540ZPBF IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF1310NPBF IRF1310NPBF - 100V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1310NPBF - 100V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1310NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF540ZPBF IRF1310NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF540ZPBF —
Technology HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) HEXFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 26.5 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 42 nC —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C 92 W —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 C to +175 C —
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Yes (per datasheet description) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 36 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs value]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +175 C

डेटाशीट और संसाधन

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