IRF540ZPBF vs IRF1310NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF540ZPBF بذریعہ Infineon اور IRF1310NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF540ZPBF IRF1310NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF540ZPBF —
Technology HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) HEXFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 26.5 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 42 nC —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C 92 W —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
پیکیج TO-220AB (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Yes (per datasheet description) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 36 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs value]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں