IRF7306TRPBF vs IRF7416TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7306TRPBF بواسطة Infineon و IRF7416TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7306TRPBF IRF7416TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C —
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) HEXFET (IR MOSFET)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (junction) —
العلبة 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) 8-SO (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Total Gate Charge (Qg) — 61 nC
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر