IRF7309TRPBF vs IRF7319TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7309TRPBF بواسطة Infineon و IRF7319TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7309TRPBF IRF7319TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge)
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
العلبة 8-SO (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
حالة RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TR suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type — Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) — 6.5 A
Continuous Drain Current P-channel (ID) — 4.9 A
RDS(on) Max N-channel — 29 mOhm (per Infineon product page)
RDS(on) Max P-channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch — 120 C/W (steady state)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch — 110 C/W (steady state)
Package Type — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر