IRF7342TRPBF vs IRF7342PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7342TRPBF بواسطة Infineon و IRF7342PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7342TRPBF IRF7342PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number IRF7342TRPBF IRF7342PBF
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 8-SOIC (SO-8), surface mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
العلبة / الحالة — 8-SOIC (SO-8)
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
حالة RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر