IRF7342TRPBF vs IRF7342PBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7342TRPBF מאת Infineon ו IRF7342PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF7342TRPBF | IRF7342PBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Part Number | IRF7342TRPBF | IRF7342PBF |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array |
| Configuration | Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | -3.4 A at 25 C | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.105 ohm max at VGS = -10 V | — |
| Maximum Power Dissumption (Pd) | 2 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 8-SOIC (SO-8), surface mount | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) | — |
| Channel Type | P-Channel (enhancement mode) | — |
| Number of Channels | 2 (dual array) | — |
| Original Mfr | — | International Rectifier (now Infineon) |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 3.4 A |
| On-Resistance R(DS(on)) | — | 0.105 ohm |
| Power Dissipation P(D) | — | 2 W |
| מארז / Case | — | 8-SOIC (SO-8) |
| Gate Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Switching Frequency Optimization | — | < 100 kHz |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Halogen Status | — | Halogen-Free |
| Qualification | — | JEDEC standard |