IRF7342TRPBF vs IRF7342PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7342TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7342PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7342TRPBF IRF7342PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IRF7342TRPBF IRF7342PBF
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 8-SOIC (SO-8), surface mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
پیکیج / کیس — 8-SOIC (SO-8)
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں