IRF7342TRPBF vs IRF7342PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7342TRPBF tarafından Infineon ve IRF7342PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7342TRPBF IRF7342PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IRF7342TRPBF IRF7342PBF
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 8-SOIC (SO-8), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Paket / Kas — 8-SOIC (SO-8)
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
RoHS Durumu — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin