IRF7342TRPBF vs IRF7342PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7342TRPBF توسط Infineon و IRF7342PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7342TRPBF IRF7342PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Part Number IRF7342TRPBF IRF7342PBF
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی 8-SOIC (SO-8), surface mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
بسته‌بندی / کیس — 8-SOIC (SO-8)
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
وضعیت RoHS — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت