IRF7343TRPBF vs IRF7389TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7343TRPBF بواسطة Infineon و IRF7389TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7343TRPBF | IRF7389TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Status | Active | — |
| نوع الترانزستور | N and P-Channel Complementary MOSFET Array | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Generation V) | HEXFET Generation V (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | 55 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | 4.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | 3.4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| العلبة | 8-SOIC (SO-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Transistor Polarity | — | N and P Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-Ch, Id) | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current (P-Ch, Id) | — | -5.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 29 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 2.5 W |
| Configuration | — | Dual N+P Complementary Half-Bridge |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Free / RoHS | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| مستوى MSL | — | 1 |