IRF7343TRPBF vs IRF7389TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7343TRPBF tarafından Infineon ve IRF7389TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7343TRPBF | IRF7389TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Status | Active | — |
| Transistor Türü | N and P-Channel Complementary MOSFET Array | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Generation V) | HEXFET Generation V (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | 55 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | 4.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | 3.4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Paket | 8-SOIC (SO-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Transistor Polarity | — | N and P Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-Ch, Id) | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current (P-Ch, Id) | — | -5.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 29 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 2.5 W |
| Configuration | — | Dual N+P Complementary Half-Bridge |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Free / RoHS | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| MSL Seviyesi | — | 1 |