IRF7416TRPBF vs IRFH5020TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7416TRPBF بواسطة Infineon و IRFH5020TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7416TRPBF IRFH5020TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type P-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A 63 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC —
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
العلبة 8-SO (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (per industry standard for PQFN-8)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
RDS(on) max at VGS=10V — 55 mΩ
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C (TJ max)
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر