IRF7416TRPBF vs IRFH5020TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7416TRPBF tarafından Infineon ve IRFH5020TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7416TRPBF IRFH5020TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A 63 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC —
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket 8-SO (SOIC-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per industry standard for PQFN-8)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
RDS(on) max at VGS=10V — 55 mΩ
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (TJ max)
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin