IRF7416TRPBF vs IRFH5020TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7416TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5020TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7416TRPBF IRFH5020TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A 63 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC —
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C —
پیکیج 8-SO (SOIC-8) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (per industry standard for PQFN-8)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
RDS(on) max at VGS=10V — 55 mΩ
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C (TJ max)
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں