IRF7469TRPBF vs IRFR4105TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7469TRPBF بواسطة Infineon و IRFR4105TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7469TRPBF | IRFR4105TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET) | HEXFET (5th generation IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | 9 A | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 17 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C (Tj) | -55C to +175C |
| العلبة | 8-SO (SOIC-8) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free, PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | — | 27 A |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | — | 45 milliohm |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 22.7 nC |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | — | 68 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Packaging Type | — | Tape and Reel (TRPBF) |
| Avalanche Energy (E_AS) | — | [DATA_NEEDED: E_AS rating] |