IRF7469TRPBF vs IRFR4105TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7469TRPBF tarafından Infineon ve IRFR4105TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7469TRPBF IRFR4105TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (Tj) -55C to +175C
Paket 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin