IRF7769L1TRPBF vs IRFB4110PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7769L1TRPBF بواسطة Infineon و IRFB4110PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7769L1TRPBF IRFB4110PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $1.55
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
تيار التصريف النبضي 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
العلبة DirectFET Isometric L8 TO-220AB (through-hole)
Package Profile 0.7 mm —
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) —
مستوى MSL 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
خالٍ من الهالوجين Yes —
RoHS Compliance Compliant —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
حالة RoHS — Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر