IRF7769L1TRPBF vs IRFB4110PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7769L1TRPBF מאת Infineon ו IRFB4110PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7769L1TRPBF IRFB4110PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $1.55
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
זרם ניקוז פועם 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
מארז DirectFET Isometric L8 TO-220AB (through-hole)
Package Profile 0.7 mm —
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (TJ) —
רמת MSL 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
נטול הלוגנים Yes —
RoHS Compliance Compliant —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +175 °C
סטטוס RoHS — Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר