IRF7769L1TRPBF vs IRFB4110PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7769L1TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFB4110PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7769L1TRPBF IRFB4110PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $1.55
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
پلسڈ ڈرین کرنٹ 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
پیکیج DirectFET Isometric L8 TO-220AB (through-hole)
Package Profile 0.7 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) —
MSL لیول 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS Compliance Compliant —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں