IRF7832TRPBF vs IRFL014NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7832TRPBF بواسطة Infineon و IRFL014NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7832TRPBF IRFL014NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (trench MOSFET) HEXFET (planar N-channel, fifth generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
العلبة 8-SO (SOIC-8) SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) Level 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 C — 1.9 A
Continuous Drain Current (ID) at 70 C — [DATA_NEEDED: ID at 70 C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 160 milliohm
Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typical — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at 25 C — 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Yes (dynamic dv/dt rated)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر