IRF7832TRPBF vs IRFL014NTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7832TRPBF توسط Infineon و IRFL014NTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7832TRPBF IRFL014NTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (trench MOSFET) HEXFET (planar N-channel, fifth generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) Level 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 C — 1.9 A
Continuous Drain Current (ID) at 70 C — [DATA_NEEDED: ID at 70 C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 160 milliohm
Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typical — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at 25 C — 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Yes (dynamic dv/dt rated)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت