IRF7907TRPBF vs IRF7313TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7907TRPBF بواسطة Infineon و IRF7313TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7907TRPBF | IRF7313TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 9.1 A per channel at 25 C | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) Max | 11 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 11.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V (typ) | — |
| Total Power Dissipation (PD) Max | 2 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| العلبة | 8-SOIC (SO-8) | 8-pin SOIC (SO-8) surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) | IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) |
| Lead-Free Status | Yes (PBF suffix) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Channel Polarity | N-Channel (both) | — |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7313TRPBF |
| Transistor Configuration | — | Dual N-Channel (Independent) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 6.5 A per channel |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 29 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) max | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: ±V rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (typical range) |
| Lead-Free / Pbf | — | Yes (lead-free plating) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Qualification Standard | — | Consumer market (per IR datasheet) |
| Shipping Media | — | Tape & Reel (TRPBF suffix) |