IRF7907TRPBF vs IRF7342TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7907TRPBF بواسطة Infineon و IRF7342TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7907TRPBF | IRF7342TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 9.1 A per channel at 25 C | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) Max | 11 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 11.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V (typ) | — |
| Total Power Dissipation (PD) Max | 2 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55 C to +150 C (Tj) |
| العلبة | 8-SOIC (SO-8) | 8-SOIC (SO-8), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel |
| Lead-Free Status | Yes (PBF suffix) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape and Reel (TR) |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Channel Polarity | N-Channel (both) | — |
| Part Number | — | IRF7342TRPBF |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | -3.4 A at 25 C |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.105 ohm max at VGS = -10 V |
| Maximum Power Dissumption (Pd) | — | 2 W |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) |
| Channel Type | — | P-Channel (enhancement mode) |
| Number of Channels | — | 2 (dual array) |