IRF9540NPBF vs IRF9530NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF9540NPBF بواسطة Infineon و IRF9530NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF9540NPBF IRF9530NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
نوع الترانزستور P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة / الحالة TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 200 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
العلبة — TO-220AB (through-hole)
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر