IRF9540NPBF vs IRF9530NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9540NPBF tarafından Infineon ve IRF9530NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9540NPBF IRF9530NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
Transistor Türü P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Paket / Kas TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 200 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Paket — TO-220AB (through-hole)
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin