IRF9540NPBF vs IRF9Z24NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF9540NPBF بواسطة Infineon و IRF9Z24NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF9540NPBF IRF9Z24NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
نوع الترانزستور P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة / الحالة TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -12 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=-10V — 0.175 ohm
Gate Charge (Qg) typ — 12.7 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.67 C/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
العلبة — TO-220AB (3-pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Technology — HEXFET (planar DMOS, Gen 5)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر