IRF9540NPBF vs IRF9Z24NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF9540NPBF توسط Infineon و IRF9Z24NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF9540NPBF IRF9Z24NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
نوع ترانزیستور P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی / کیس TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
نوع نصب Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -12 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=-10V — 0.175 ohm
Gate Charge (Qg) typ — 12.7 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.67 C/W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
بسته‌بندی — TO-220AB (3-pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Technology — HEXFET (planar DMOS, Gen 5)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت