IRF9540NPBF vs IRF9Z24NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF9540NPBF द्वारा Infineon और IRF9Z24NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF9540NPBF IRF9540NPBF - P-Ch 100V 23A 117mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9540NPBF - P-Ch 100V 23A 117mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9540NPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF - P-Channel 55V 12A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9Z24NPBF - P-Channel 55V 12A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9Z24NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF9540NPBF IRF9Z24NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
ट्रांज़िस्टर प्रकार P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 C to +175 C —
पैकेज / केस TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -12 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=-10V — 0.175 ohm
Gate Charge (Qg) typ — 12.7 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.67 C/W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
पैकेज — TO-220AB (3-pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Technology — HEXFET (planar DMOS, Gen 5)

डेटाशीट और संसाधन

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