IRFB3207ZPBF vs IRFB4127PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon و IRFB4127PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB3207ZPBF IRFB4127PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFB3207ZPBF IRFB4127PBF
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) TrenchFET Gen 6 (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C -55C to +175C
العلبة TO-220AB (3-lead through-hole) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
مستوى MSL N/A (through-hole) —
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 76 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 100 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 375 W
العلبة / الحالة — TO-220AB (through-hole)
حالة RoHS — Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance)
Configuration — Single

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر