IRFB3207ZPBF vs IRFB4127PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon اور IRFB4127PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB3207ZPBF IRFB4127PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFB3207ZPBF IRFB4127PBF
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) TrenchFET Gen 6 (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55C to +175C
پیکیج TO-220AB (3-lead through-hole) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL لیول N/A (through-hole) —
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 76 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 100 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 375 W
پیکیج / کیس — TO-220AB (through-hole)
RoHS اسٹیٹس — Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance)
Configuration — Single

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں