IRFB7437PBF vs IRF640NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB7437PBF بواسطة Infineon و IRF640NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB7437PBF IRF640NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET HEXFET (5th Generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 195 A —
Silicon-Limited Drain Current 250 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) typ @ VGS=10V 1.5 mΩ —
R_DS(on) max @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family) —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC 44.7 nC
Miller Plateau Charge (Qgd) 49 nC —
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 230 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 0.62 °C/W —
العلبة TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead Finish Lead-free (PBF - Pb-free plating) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL Not Applicable (through-hole package) —
AEC-Q101 Automotive Not qualified (industrial/consumer) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
نوع الترانزستور — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر