IRFB7437PBF vs IRF640NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB7437PBF توسط Infineon و IRF640NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB7437PBF IRF640NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET HEXFET (5th Generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 195 A —
Silicon-Limited Drain Current 250 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) typ @ VGS=10V 1.5 mΩ —
R_DS(on) max @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family) —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC 44.7 nC
Miller Plateau Charge (Qgd) 49 nC —
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 230 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 0.62 °C/W —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead Finish Lead-free (PBF - Pb-free plating) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL Not Applicable (through-hole package) —
AEC-Q101 Automotive Not qualified (industrial/consumer) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
نوع ترانزیستور — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت