IRFB7437PBF vs IRF640NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB7437PBF מאת Infineon ו IRF640NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB7437PBF IRF640NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET HEXFET (5th Generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 195 A —
Silicon-Limited Drain Current 250 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) typ @ VGS=10V 1.5 mΩ —
R_DS(on) max @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family) —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC 44.7 nC
Miller Plateau Charge (Qgd) 49 nC —
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 230 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 0.62 °C/W —
מארז TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead Finish Lead-free (PBF - Pb-free plating) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL Not Applicable (through-hole package) —
AEC-Q101 Automotive Not qualified (industrial/consumer) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
סוג טרנזיסטור — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר