IRFH6200TRPBF vs IRFH5015TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH6200TRPBF بواسطة Infineon و IRFH5015TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFH6200TRPBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFH6200TRPBF | — |
| Technology | StrongIRFET (trench N-channel) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.2 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 155 nC | 33 nC |
| Power Dissipation at Ta (25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at Tc (25C) | 156 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] | — |
| Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (TJ max) |
| حالة RoHS | — | Compliant |