IRFH8318TRPBF vs IRFH8201TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH8318TRPBF بواسطة Infineon و IRFH8201TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFH8318TRPBF IRFH8201TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 56 nC at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
العلبة PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر