IRFH8318TRPBF vs IRFH8201TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH8318TRPBF द्वारा Infineon और IRFH8201TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFH8318TRPBF IRFH8201TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 56 nC at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
पैकेज PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55°C to +150°C —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C

डेटाशीट और संसाधन

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