IRFH8318TRPBF vs IRFH8201TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH8318TRPBF tarafından Infineon ve IRFH8201TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH8318TRPBF IRFH8201TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 56 nC at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Paket PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin