IRFL014NTRPBF vs IRFR120NTRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFL014NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR120NTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFL014NTRPBF IRFR120NTRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) —
العلبة SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
مستوى MSL Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر