IRFL014NTRPBF vs IRFR120NTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFL014NTRPBF tarafından Infineon ve IRFR120NTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFL014NTRPBF IRFR120NTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) —
Paket SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin