IRFL014NTRPBF vs IRFR120NTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFL014NTRPBF מאת Infineon ו IRFR120NTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFL014NTRPBF IRFR120NTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) —
מארז SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) PG-TO252-3 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
רמת MSL Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר