IRFP250N vs IRFP250MPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFP250N بواسطة Infineon و IRFP250MPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFP250N IRFP250MPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 214 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
العلبة TO-247AC (through-hole) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (TJ) —
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Switching Frequency Optimization Optimized for applications below 100 kHz —
Qualification Standard JEDEC —
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Planar Cell Structure Yes (wide SOA) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP250MPBF
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
العلبة / الحالة — TO-247AC (3-pin + tab)
عدد الدبابيس — 3
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes
مستوى MSL — 1 (unlimited)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر