IRFP250N vs IRFP250MPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFP250N tarafından Infineon ve IRFP250MPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFP250N IRFP250MPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $2,55
Technology N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 214 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Paket TO-247AC (through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (TJ) —
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Switching Frequency Optimization Optimized for applications below 100 kHz —
Qualification Standard JEDEC —
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Planar Cell Structure Yes (wide SOA) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP250MPBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Paket / Kas — TO-247AC (3-pin + tab)
Pin Sayısı — 3
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin