IRFP250N vs IRFP250MPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFP250N par Infineon et IRFP250MPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IRFP250N - 200V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon (Lead-Free (Pb-Free))
IRFP250N ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFP250N | IRFP250MPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,78 | $2,55 |
| Technology | N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 214 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Boîtier | TO-247AC (through-hole) | — |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Avalanche Energy Rating | Fully avalanche rated | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt rated | — |
| Switching Frequency Optimization | Optimized for applications below 100 kHz | — |
| Qualification Standard | JEDEC | — |
| Lead-Free Status | Yes (PBF suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Planar Cell Structure | Yes (wide SOA) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRFP250MPBF |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 82 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 214 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Boîtier / Format | — | TO-247AC (3-pin + tab) |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited) |